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汽車電子功率MOSFET
汽車電子功率MOSFET

過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展成為蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象。且封裝很簡單,主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數汽車的標配,在設計中需要類似的功率器件。在這期間,隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及,車用功率MOSFET也不斷發展壯大。

本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件變革的新型應用。還將探討實現當前汽車電子系統功率MOSFET的一些發展狀況。這些發展將有助于促進汽車電子行業向前,特別是在一些新興市場如中國。詳細閱讀>>

干貨"title="干貨" 干貨

功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。

鋰電池短路保護:功率MOSFET及驅動電路的選擇與設計

鋰電池短路保護:功率MOSFET及驅動電路的選擇與設計

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鋰電池具有能量高、使用壽命長、重量輕、綠色環保等優點得到廣泛的應用。在鋰電池的應用中,短路保護設計和整個系統的可靠性直接相關,因此,要保證電池安全工作,不僅要選擇合適的功率MOSFET,而且要設計合適的驅動電路。本文將講解如何選取功率MOSFET型號及設計合適的驅動電路。詳細閱讀>>

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

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Vishay推出6.15mmx5.15mm PowerPAK?SO-8單體封裝的60V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiR626DP。SiR626DP專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率,導通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產品最低水平。詳細閱讀>>

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

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Vishay推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低27%,為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案,同時,柵極電荷下降60%。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內最低水平,該參數是600V MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)。詳細閱讀>>

通過功率MOSFET的頂面溫度估算結點溫度

通過功率MOSFET的頂面溫度估算結點溫度

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本文中,我們提出了一種根據器件的頂面溫度估算MOSFET結點溫度的快速而簡單的方法,這易于利用一臺探針臺(bench probe)予以確定。為了開發一個利用頂面溫度計算出結點溫度的公式,我們利用Vishay Siliconix基于網絡的ThermaSim? 在不同條件下運行了一組對流行MOSFET封裝類型的實驗。為了得到與數據手冊更好的一致性,應該在1英寸×1英寸的正方形FR-4板上安裝MOSFET。詳細閱讀>>

理解功率MOSFET的開關損耗

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理解功率MOSFET的開關損耗

功率MOSFET管的柵極電荷特性表述了柵極電壓和柵極電荷的關系,結合柵極的電荷特性和漏極的導通特性可以直觀而形象的理解MOSFET開通及關斷過程。通常很多電子工程師知道,由于米勒電容的效應,MOSFET在開通及關斷過程中產生開關損耗,在他們選型的時候,就會重點檢查功率MOSFET管數據表的Qg和Ciss這兩個參數,認為這兩個因素主要影響開關損耗,本文將詳細的分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。詳細閱讀>>

東芝推出新一代超結功率MOSFET

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東芝推出新一代超結功率MOSFET

東芝推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于數據中心服務器電源、太陽能(PV)功率調節器、不間斷電源系統(UPS)和其他工業應用。詳細閱讀>>

經典案例 經典案例
理解功率MOSFET的電流

理解功率MOSFET的電流

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通常,在功率MOSFET的數據表中的第一頁,列出了連續漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然而對于許多電子工程師來說,他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中,它們如何影響系統以及如何選取這些電流值,常常感到困惑不解,本文將系統的闡述這些問題,并說明在實際的應用過程中如何考慮這些因素,最后給出選取它們的原則。詳細閱讀>>

硅功率MOSFET前景堪憂?

硅功率MOSFET前景堪憂?

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30年前硅功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源,硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來,MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期;然而與此同時,增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善,迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎?詳細閱讀>>

大、中功率MOSFET與IGBT驅動電路方案探討

大、中功率MOSFET與IGBT驅動電路方案探討

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隨著電力電子技術和電力半導體器件的飛速發展,近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪聲的場合得到了廣泛的應用。這些功率器件的運行狀態直接決定了設備性能的優劣,而性能良好的驅動電路又是開關器件安全可靠運行的重要保障。在設計MOSFET和IGBT的驅動電路時,應考慮以下幾個因素:詳細閱讀>>

近年來,功率MOSFET廣泛地應用于電源、計算機及外設(軟、硬盤驅動器、打印機、掃描器等)、消費類電子產品、通信裝置、汽車電子及工業控制等領域。

ag国际厅和旗舰厅区别 88291956875043692167914197746907797273318363681835930670351289434372212328871494994127634893840 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();